PANJIT 推出新款 P通道和 N 通道功率MOSFET，旨在提升汽車電子系統的性能。P 通道 MOSFET 通過了 AEC-Q101 認證，工作結溫高達 175°C，為追求可靠性和簡化電路的設計工程師提供了最佳選擇。這些 MOSFET 最大限度地降低了 RDS(ON)，並提高了雪崩堅固性，採用DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060B-8L、TO-252AA、TO-263 和 TO-263-7L封裝。
PANJIT 的 N通道功率 MOSFET 採用先進的溝槽技術，具有出色的性能係數 (FOM)、更低的 RDS(ON) 和電容。這些 MOSFET 採用DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060B-8L、TO-252AA封裝，有助於實現高效可靠的 PCB 設計。
通過將創新與可靠性相結合，PANJIT 的低壓 MOSFET 簡化了電源設計電路，滿足了汽車設計工程師不斷變化的需求。這些元件證明了 PANJIT 致力於打造汽車電子產品的未來，為高性能汽車應用提供最佳解決方案。