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【PANJIT】強茂SGT MOSFET第一代系列：創新溝槽技術 車規級60 V N通道 突破車用電子的高效表現

隨著汽車產業加速朝向智慧化及互聯系統的發展，強茂推出最新車規級60 V N通道MOSFETs系列，採用屏蔽柵溝槽技術(SGT)來支持汽車電力裝置。此系列之產品具備卓越的性能指標 (FOM)、超低導通電阻 (RDS(ON)) 以及最小化的電容，能有效提升汽車電子系統的性能與能源效率，降低導通與切換的損耗，提供更卓越的電氣性能。

強茂的60 V N通道SGT-MOSFETs提供多種小型化且高效的封裝選擇，包括 DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060B-8L、TO-252AA 以及 TO-220AB-L，為各類電力電子應用提供更為可靠的解決方案。這些MOSFETs 皆通過 AEC-Q101之認證，具備優異的導通和切換特性，於車用領域中是電源轉換、驅動與控制應用的理想選擇。此外，可承受接面溫度高達 175°C，為現代電子產品提供最佳的設計彈性。

最重要的是強茂在SGT-MOSFETs的產品研發上，不僅推動電動/燃油汽車技術的發展，還致力於促進整個汽車產業鏈的持續成長與發展，服務廣泛涵蓋各終端之應用。此外，強茂的產品皆採用符合IEC 61249和EU RoHS 2.0標準的綠色材質，體現了強茂致力於為客戶提供高性能、可靠和環保產品的承諾。

甚麼是屏蔽柵溝槽SGT-MOSFET呢?

屏蔽柵溝槽MOSFETs (Shielded Gate Trench-SGT) 多使用於中壓 MOSFETs，被廣泛應用於電源供應、工業系統以及汽車設備等高性能的應用領域中，作為核心的電力控制元件。透過加深溝槽之深度，讓其獨特的電荷耦合結構可涵蓋水平與垂直的耗盡區域，進而提升擊穿電壓在相同的摻雜濃度下之卓越性能。

相較於傳統溝槽式MOSFETs的特性，SGT-MOSFETs在柵極電極下增加了一個屏蔽電極並與源極相連，能使屏蔽柵極在漂移區內減少米勒效應所帶來的切換損耗。此外，此設計還降低漂移區的臨界電場，使總閘極電荷（Qg, @RDS(on) 3 mΩ）降低了57％，並顯著提升了性能指標（FOM）。

主要特性

• 屏蔽柵溝槽技術 (SGT)
提升效率和性能，滿足嚴苛的電力需求。
• AEC-Q101認證
確保在嚴格的汽車和工業應用中具備卓越的耐用性。
• 超低導通電阻
將功率損耗降至最低，最大化功率敏感設計的能源效率。
• 高功率密度封裝
小型化的設計提供強大的功率輸出，是多種應用的首選。
• 可承受高接面溫度
支持在極端環境中穩定運行，能承受高達 175℃ 的溫度。

 

產品應用

• 汽車電子

先進駕駛輔助系統(ADAS)

車身控制器(BCU)

冷卻風扇

影音娛樂/儀表板

LED照明

馬達幫浦

車載充電器

傳感器

USB充電器/USB集線器

無線充電器

 

• 電源供應

發動機控制器

執行器/促動器

電池管理系統

伺服器嵌入式系統

 

• 工業電子產品

工業電腦

太陽能逆變器/控制器

電風扇

焊接機

60 V N通道第一代SGT系列表

產品推薦

 

  • PJQ5560A-AU

  • 這顆60 V N通道的增強型MOSFET具備優異的FOM, (Qg, VGS@10 V, ID@20 A<82 nC) 以及低導通電阻 (RDS(ON), VGS@10 V, ID@20 A<2.6 mΩ) 採用DFN5060-8L封裝。該產品符合AEC-Q101認證，並設計為邏輯電平驅動，非常適合用於汽車應用中的先進駕駛輔助系統 (ADAS)、車身及舒適系統，以及汽車資訊娛樂系統。

    歡迎下載 ⮕ Data Sheet / STEP File / SPICE Model
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